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IRS2607DSPBF

IRS2607DSPBF

참조 용

부품 번호 IRS2607DSPBF
PNEDA 부품 번호 IRS2607DSPBF
설명 IC DVR HI/LOW SIDE 8SOIC
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,300
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 10 - 2월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRS2607DSPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRS2607DSPBF
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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IRS2607DSPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급10V ~ 20V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)200mA, 350mA
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)600V
상승 / 하강 시간 (일반)150ns, 50ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

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드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

HIP6602BCRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

15V

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-VQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

16-QFN-EP (5x5)

LTC4440AHMS8E-5#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1.2V, 1.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.1A, 1.1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

80V

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 7ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-MSOP-EP

STSR2PMCD-TR

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 3.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 30ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

ISL89164FBEAZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

1.22V, 2.08V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

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