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IS42S16800F-6B

IS42S16800F-6B

참조 용

부품 번호 IS42S16800F-6B
PNEDA 부품 번호 IS42S16800F-6B
설명 IC DRAM 128M PARALLEL 166MHZ
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
단가 견적 요청
재고 있음 6,372
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS42S16800F-6B 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS42S16800F-6B
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS42S16800F-6B, IS42S16800F-6B 데이터 시트 (총 페이지: 62, 크기: 939.08 KB)
PDFIS42S16800F-7BI 데이터 시트 표지
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IS42S16800F-6B 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM
메모리 크기128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간5.4ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스54-TFBGA
공급자 장치 패키지54-TFBGA (8x8)

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Adesto Technologies

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-

메모리 유형

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메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (264 Bytes x 1024 pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

66MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

4ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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IDT71V3556S100BGI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

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시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

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메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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MT51J256M32HF-80:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

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메모리 크기

8Gb (256M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

2.0GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

170-TFBGA

공급자 장치 패키지

170-FBGA (12x14)

AT24C01-10SI-2.7

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MR4A16BCMA35R

Everspin Technologies Inc.

제조업체

Everspin Technologies Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

MRAM (Magnetoresistive RAM)

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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