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IS42S32400E-7BL-TR

IS42S32400E-7BL-TR

참조 용

부품 번호 IS42S32400E-7BL-TR
PNEDA 부품 번호 IS42S32400E-7BL-TR
설명 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음 4,032
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예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS42S32400E-7BL-TR 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS42S32400E-7BL-TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS42S32400E-7BL-TR, IS42S32400E-7BL-TR 데이터 시트 (총 페이지: 60, 크기: 876.36 KB)
PDFIS42S32400E-7TLI-TR 데이터 시트 표지
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IS42S32400E-7BL-TR 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM
메모리 크기128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간5.4ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스90-TFBGA
공급자 장치 패키지90-TFBGA (8x13)

관심을 가질만한 제품

70V261L25PF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

256Kb (16K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

MT46H128M16LFDD-48 WT:C

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

208MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

14.4ns

접근 시간

5.0ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-VFBGA

공급자 장치 패키지

60-VFBGA (8x9)

IS42VM16800G-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.5ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TFBGA

공급자 장치 패키지

54-TFBGA (8x8)

S29GL256S10FAIV20

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

100ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (13x11)

RC28F128J3F75G

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

StrataFlash™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

75ns

접근 시간

75ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-TBGA

공급자 장치 패키지

64-EasyBGA (10x13)

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