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IS43DR16320C-25DBL

IS43DR16320C-25DBL

참조 용

부품 번호 IS43DR16320C-25DBL
PNEDA 부품 번호 IS43DR16320C-25DBL
설명 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음 7,506
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 7 - 2월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS43DR16320C-25DBL 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS43DR16320C-25DBL
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS43DR16320C-25DBL, IS43DR16320C-25DBL 데이터 시트 (총 페이지: 48, 크기: 1,438.62 KB)
PDFIS43DR86400C-3DBI-TR 데이터 시트 표지
IS43DR86400C-3DBI-TR 데이터 시트 페이지 2 IS43DR86400C-3DBI-TR 데이터 시트 페이지 3 IS43DR86400C-3DBI-TR 데이터 시트 페이지 4 IS43DR86400C-3DBI-TR 데이터 시트 페이지 5 IS43DR86400C-3DBI-TR 데이터 시트 페이지 6 IS43DR86400C-3DBI-TR 데이터 시트 페이지 7 IS43DR86400C-3DBI-TR 데이터 시트 페이지 8 IS43DR86400C-3DBI-TR 데이터 시트 페이지 9 IS43DR86400C-3DBI-TR 데이터 시트 페이지 10 IS43DR86400C-3DBI-TR 데이터 시트 페이지 11

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  • IS43DR16320C-25DBL Distributor

IS43DR16320C-25DBL 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR2
메모리 크기512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간400ps
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스84-TFBGA
공급자 장치 패키지84-TWBGA (8x12.5)

관심을 가질만한 제품

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (128 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

CY7C1150KV18-450BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II+

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

450MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

BR25H320F-2LBH2

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

4ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

7016L35PF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

144Kb (16K x 9)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

80-LQFP

공급자 장치 패키지

80-TQFP (14x14)

CAT24C208WI-GT3

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (256 x 8 x 4)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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