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IS43DR16640B-3DBL-TR

IS43DR16640B-3DBL-TR

참조 용

부품 번호 IS43DR16640B-3DBL-TR
PNEDA 부품 번호 IS43DR16640B-3DBL-TR
설명 IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음 7,002
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예상 배송 1월 29 - 2월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS43DR16640B-3DBL-TR 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS43DR16640B-3DBL-TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS43DR16640B-3DBL-TR, IS43DR16640B-3DBL-TR 데이터 시트 (총 페이지: 29, 크기: 1,060.92 KB)
PDFIS46DR81280B-3DBLA2 데이터 시트 표지
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IS43DR16640B-3DBL-TR 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR2
메모리 크기1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간450ps
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스84-TFBGA
공급자 장치 패키지84-TWBGA (8x12.5)

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.4V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-TFBGA (6x8)

93LC76B-I/MS

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (512 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

384Gb (48G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

132-VBGA

공급자 장치 패키지

132-VBGA (12x18)

7027S35G

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

512Kb (32K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

108-BPGA

공급자 장치 패키지

108-PGA (30.48x30.48)

AT45DB321C-TC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

32Mb (528 Bytes x 8192 pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

공급자 장치 패키지

28-TSOP

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