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IS43DR86400D-3DBLI-TR

IS43DR86400D-3DBLI-TR

참조 용

부품 번호 IS43DR86400D-3DBLI-TR
PNEDA 부품 번호 IS43DR86400D-3DBLI-TR
설명 IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음 8,154
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS43DR86400D-3DBLI-TR 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS43DR86400D-3DBLI-TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS43DR86400D-3DBLI-TR, IS43DR86400D-3DBLI-TR 데이터 시트 (총 페이지: 48, 크기: 1,091.38 KB)
PDFIS46DR16320D-25DBLA2 데이터 시트 표지
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IS43DR86400D-3DBLI-TR 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR2
메모리 크기512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간450ps
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스60-TFBGA
공급자 장치 패키지60-TWBGA (8x10.5)

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Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

AS-J

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

1.65V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-FBGA (8.15x6.15)

CAT24C164YI-G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

7134SA55JG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

52-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

52-PLCC (19.13x19.13)

MT46V32M16CY-5B AAT:J

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-FBGA (8x12.5)

W25X80AVDAIZ

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

SpiFlash®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

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