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IS43R86400D-5TL

IS43R86400D-5TL

참조 용

부품 번호 IS43R86400D-5TL
PNEDA 부품 번호 IS43R86400D-5TL
설명 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS43R86400D-5TL 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS43R86400D-5TL
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS43R86400D-5TL, IS43R86400D-5TL 데이터 시트 (총 페이지: 33, 크기: 1,045.4 KB)
PDFIS43R16320D-6BI 데이터 시트 표지
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IS43R86400D-5TL 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR
메모리 크기512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간700ps
전압-공급2.5V ~ 2.7V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지66-TSOP II

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메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

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시계 주파수

5MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Macronix

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메모리 유형

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

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접근 시간

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전압-공급

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작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

52MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

85ns

접근 시간

85ns

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Micron Technology Inc.

제조업체

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시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

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메모리 크기

8Gb (512M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.6GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

19ns

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TC)

장착 유형

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