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IS43TR16128C-15HBLI

IS43TR16128C-15HBLI

참조 용

부품 번호 IS43TR16128C-15HBLI
PNEDA 부품 번호 IS43TR16128C-15HBLI
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
단가 견적 요청
재고 있음 7,578
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 30 - 4월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS43TR16128C-15HBLI 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS43TR16128C-15HBLI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS43TR16128C-15HBLI, IS43TR16128C-15HBLI 데이터 시트 (총 페이지: 87, 크기: 4,526.78 KB)
PDFIS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 표지
IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 2 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 3 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 4 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 5 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 6 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 7 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 8 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 9 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 10 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 11

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IS43TR16128C-15HBLI 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-TWBGA (9x13)

관심을 가질만한 제품

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

250ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (11.43x13.97)

BR34L02FVT-WE2

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP-B

제조업체

Macronix

시리즈

MX25xxx05/06

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

86MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

300µs, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-VSOP

CY7C1069G30-10ZSXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

MT53D384M32D2DS-053 WT:C TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

12Gb (384M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1866MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

200-WFBGA

공급자 장치 패키지

200-WFBGA (10x14.5)

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