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IS43TR16128CL-125KBLI-TR

IS43TR16128CL-125KBLI-TR

참조 용

부품 번호 IS43TR16128CL-125KBLI-TR
PNEDA 부품 번호 IS43TR16128CL-125KBLI-TR
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS43TR16128CL-125KBLI-TR 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS43TR16128CL-125KBLI-TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS43TR16128CL-125KBLI-TR, IS43TR16128CL-125KBLI-TR 데이터 시트 (총 페이지: 87, 크기: 4,526.78 KB)
PDFIS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 표지
IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 2 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 3 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 4 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 5 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 6 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 7 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 8 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 9 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 10 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 11

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IS43TR16128CL-125KBLI-TR 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3L
메모리 크기2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간20ns
전압-공급1.283V ~ 1.45V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-TWBGA (9x13)

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

110ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (9x9)

S25FL116K0XMFB041

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

Automotive, AEC-Q100, FL1-K

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

AT49BV6416-70TI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15µs

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

IDT6116SA45SOI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

24-SOIC

FM24V10-G

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

F-RAM™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FRAM

기술

FRAM (Ferroelectric RAM)

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

3.4MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

130ns

전압-공급

2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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