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IS45S16100E-7BLA1-TR

IS45S16100E-7BLA1-TR

참조 용

부품 번호 IS45S16100E-7BLA1-TR
PNEDA 부품 번호 IS45S16100E-7BLA1-TR
설명 IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS45S16100E-7BLA1-TR 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS45S16100E-7BLA1-TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS45S16100E-7BLA1-TR, IS45S16100E-7BLA1-TR 데이터 시트 (총 페이지: 83, 크기: 1,536.76 KB)
PDFIS45S16100E-7TLA1-TR 데이터 시트 표지
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IS45S16100E-7BLA1-TR 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM
메모리 크기16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간5.5ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스60-TFBGA
공급자 장치 패키지60-TFBGA (6.4x10.1)

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FLASH

기술

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메모리 크기

2Gb (2G x 1)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UDFN

공급자 장치 패키지

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-TDFN (2x3)

NMC27C32BQE200

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - UV

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

200ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

24-DIP (0.600", 15.24mm) Window

공급자 장치 패키지

24-DIP

23A512T-E/ST

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

16MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 2.2V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

CY7C131E-55JXCT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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