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IS45S16800F-6TLA1-TR

IS45S16800F-6TLA1-TR

참조 용

부품 번호 IS45S16800F-6TLA1-TR
PNEDA 부품 번호 IS45S16800F-6TLA1-TR
설명 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS45S16800F-6TLA1-TR 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS45S16800F-6TLA1-TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS45S16800F-6TLA1-TR, IS45S16800F-6TLA1-TR 데이터 시트 (총 페이지: 62, 크기: 939.08 KB)
PDFIS42S16800F-7BI 데이터 시트 표지
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IS45S16800F-6TLA1-TR 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM
메모리 크기128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간5.4ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지54-TSOP II

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Winbond Electronics

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

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메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-VFBGA

공급자 장치 패키지

96-VFBGA (7.5x13)

MT29F64G08ABEBBH6-12:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

64Gb (8G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

83MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

152-VBGA

공급자 장치 패키지

152-VBGA (14x18)

25LC160BT-I/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

제조업체

Macronix

시리즈

MX29SL

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

1.65V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA, CSPBGA

공급자 장치 패키지

48-TFBGA, CSP (6x8)

M95080-DRDW3TP/K

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

4ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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