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IS46DR16320D-25DBLA2

IS46DR16320D-25DBLA2

참조 용

부품 번호 IS46DR16320D-25DBLA2
PNEDA 부품 번호 IS46DR16320D-25DBLA2
설명 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음 8,280
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 7 - 2월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS46DR16320D-25DBLA2 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS46DR16320D-25DBLA2
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS46DR16320D-25DBLA2, IS46DR16320D-25DBLA2 데이터 시트 (총 페이지: 48, 크기: 1,091.38 KB)
PDFIS46DR16320D-25DBLA2 데이터 시트 표지
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IS46DR16320D-25DBLA2 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR2
메모리 크기512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간400ps
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스84-TFBGA
공급자 장치 패키지84-TWBGA (8x12.5)

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제조업체

Maxim Integrated

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

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메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.75V ~ 5.25V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

28-EDIP

MT41K2G4RKB-107:P

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

TwinDie™

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

8Gb (2G x 4)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (8x10.5)

S29WS128PABBFW000

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

WS-P

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

80ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-VFBGA

공급자 장치 패키지

84-FBGA (11.6x8)

S29GL256P90FFCR10

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-P

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (13x11)

CY7C09379V-12AC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

576Kb (32K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

50MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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