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IS46DR16640B-25DBLA2

IS46DR16640B-25DBLA2

참조 용

부품 번호 IS46DR16640B-25DBLA2
PNEDA 부품 번호 IS46DR16640B-25DBLA2
설명 IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
단가 견적 요청
재고 있음 2,178
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS46DR16640B-25DBLA2 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS46DR16640B-25DBLA2
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS46DR16640B-25DBLA2, IS46DR16640B-25DBLA2 데이터 시트 (총 페이지: 29, 크기: 1,060.92 KB)
PDFIS46DR81280B-3DBLA2 데이터 시트 표지
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  • IS46DR16640B-25DBLA2 Distributor

IS46DR16640B-25DBLA2 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR2
메모리 크기1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간400ps
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스84-TFBGA
공급자 장치 패키지84-TWBGA (8x12.5)

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

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Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-VFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (8x10.5)

CY62128EV30LL-55SXE

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)

공급자 장치 패키지

32-SOIC

93C46AT-I/MC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN (2x3)

AT27C512R-12PC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

120ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

28-PDIP

IS43DR16128B-25EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

400ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

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패키지 / 케이스

84-TFBGA

공급자 장치 패키지

84-TWBGA (10.5x13)

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