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IS46LR32160B-6BLA1

IS46LR32160B-6BLA1

참조 용

부품 번호 IS46LR32160B-6BLA1
PNEDA 부품 번호 IS46LR32160B-6BLA1
설명 IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
단가 견적 요청
재고 있음 4,698
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 4 - 3월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS46LR32160B-6BLA1 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS46LR32160B-6BLA1
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS46LR32160B-6BLA1, IS46LR32160B-6BLA1 데이터 시트 (총 페이지: 44, 크기: 1,839.45 KB)
PDFIS46LR32160B-6BLA2 데이터 시트 표지
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IS46LR32160B-6BLA1 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지12ns
접근 시간5.5ns
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스90-TFBGA
공급자 장치 패키지90-TFBGA (8x13)

관심을 가질만한 제품

W29GL128PH9B TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-LFBGA (11x13)

7005S70FB

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

68-Flatpack

공급자 장치 패키지

68-FPACK

STK14CA8-RF45I

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

48-SSOP

AS7C38096A-10BIN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-LFBGA

공급자 장치 패키지

48-TFBGA (6x8)

M28W160FST70ZA6E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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PE-64934NL

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