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IS49NLC18160-25B

IS49NLC18160-25B

참조 용

부품 번호 IS49NLC18160-25B
PNEDA 부품 번호 IS49NLC18160-25B
설명 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
단가 견적 요청
재고 있음 2,376
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS49NLC18160-25B 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS49NLC18160-25B
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS49NLC18160-25B, IS49NLC18160-25B 데이터 시트 (총 페이지: 34, 크기: 1,038.12 KB)
PDFIS49NLS18160-33WBLI 데이터 시트 표지
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IS49NLC18160-25B 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술DRAM
메모리 크기288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스144-TFBGA
공급자 장치 패키지144-FCBGA (11x18.5)

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Alliance Memory, Inc.

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메모리 유형

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메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

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작동 온도

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시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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MT53D4DAKA-DC

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

70V3389S5BFI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

1.125Mb (64K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

208-LFBGA

공급자 장치 패키지

208-CABGA (15x15)

S26KS256SDPBHV020

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

HyperFlash™ KS

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

96ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

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장착 유형

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