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IS49RL36160-125EBL

IS49RL36160-125EBL

참조 용

부품 번호 IS49RL36160-125EBL
PNEDA 부품 번호 IS49RL36160-125EBL
설명 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
단가 견적 요청
재고 있음 7,668
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 23 - 6월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS49RL36160-125EBL 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS49RL36160-125EBL
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS49RL36160-125EBL, IS49RL36160-125EBL 데이터 시트 (총 페이지: 115, 크기: 2,954.7 KB)
PDFIS49RL36160-093EBLI 데이터 시트 표지
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  • IS49RL36160-125EBL Distributor

IS49RL36160-125EBL 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술DRAM
메모리 크기576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간10ns
전압-공급1.28V ~ 1.42V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스168-LBGA
공급자 장치 패키지168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.2ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

2Gb (2G x 1)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UDFN

공급자 장치 패키지

8-U-PDFN (8x6)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

RAM

메모리 크기

64b (16 x 4)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

280ns

전압-공급

3V ~ 15V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

16-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

16-PDIP

MT29C1G12MAACVAMD-5 IT

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

메모리 크기

1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

130-VFBGA

공급자 장치 패키지

130-VFBGA (8x9)

M29W400DT70N1

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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