IS61NLP12836B-200TQLI
참조 용
| 부품 번호 | IS61NLP12836B-200TQLI |
| PNEDA 부품 번호 | IS61NLP12836B-200TQLI |
| 설명 | IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP |
| 제조업체 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,220 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 19 - 2월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IS61NLP12836B-200TQLI 리소스
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IS61NLP12836B-200TQLI 사양
| 제조업체 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 포맷 | SRAM |
| 기술 | SRAM - Synchronous, SDR |
| 메모리 크기 | 4.5Mb (128K x 36) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | 200MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | - |
| 접근 시간 | 3.1ns |
| 전압-공급 | 3.135V ~ 3.465V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 100-LQFP |
| 공급자 장치 패키지 | 100-TQFP (14x20) |
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 8Kb (1K x 8) 메모리 인터페이스 I²C 시계 주파수 400kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 900ns 전압-공급 2.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 10ms 접근 시간 150ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지 28-PDIP |
