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IS61NLP6432A-200TQLI-TR

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참조 용

부품 번호 IS61NLP6432A-200TQLI-TR
PNEDA 부품 번호 IS61NLP6432A-200TQLI-TR
설명 IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS61NLP6432A-200TQLI-TR 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS61NLP6432A-200TQLI-TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS61NLP6432A-200TQLI-TR, IS61NLP6432A-200TQLI-TR 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 445.8 KB)
PDFIS61NLP6432A-200TQLI 데이터 시트 표지
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IS61NLP6432A-200TQLI-TR 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기2Mb (64K x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간3.1ns
전압-공급3.135V ~ 3.465V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스100-LQFP
공급자 장치 패키지100-TQFP (14x20)

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제조업체

Micron Technology Inc.

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Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

576Mb (32M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1067MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8ns

전압-공급

1.28V ~ 1.42V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

168-TBGA

공급자 장치 패키지

168-BGA (13.5x13.5)

CY7C1614KV18-250BZI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

144Mb (4M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (15x17)

SM671PED-AD

Silicon Motion, Inc.

제조업체

Silicon Motion, Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

S34ML01G100BHA003

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

ML-1

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-BGA (11x9)

S29AL008J70YEI019G

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

AL-J

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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