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IS61NVP51236-200B3I-TR

IS61NVP51236-200B3I-TR

참조 용

부품 번호 IS61NVP51236-200B3I-TR
PNEDA 부품 번호 IS61NVP51236-200B3I-TR
설명 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS61NVP51236-200B3I-TR 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS61NVP51236-200B3I-TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS61NVP51236-200B3I-TR, IS61NVP51236-200B3I-TR 데이터 시트 (총 페이지: 37, 크기: 642.05 KB)
PDFIS61NVP51236-250B3I 데이터 시트 표지
IS61NVP51236-250B3I 데이터 시트 페이지 2 IS61NVP51236-250B3I 데이터 시트 페이지 3 IS61NVP51236-250B3I 데이터 시트 페이지 4 IS61NVP51236-250B3I 데이터 시트 페이지 5 IS61NVP51236-250B3I 데이터 시트 페이지 6 IS61NVP51236-250B3I 데이터 시트 페이지 7 IS61NVP51236-250B3I 데이터 시트 페이지 8 IS61NVP51236-250B3I 데이터 시트 페이지 9 IS61NVP51236-250B3I 데이터 시트 페이지 10 IS61NVP51236-250B3I 데이터 시트 페이지 11

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IS61NVP51236-200B3I-TR 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간3.1ns
전압-공급2.375V ~ 2.625V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LFBGA
공급자 장치 패키지165-TFBGA (13x15)

관심을 가질만한 제품

AT29LV020-25TI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ms

접근 시간

250ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP

MT45W2MW16BGB-708 WT TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

32Mb (2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-VFBGA

공급자 장치 패키지

54-VFBGA (6x8)

S29GL064N90DAI022

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-N

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (9x9)

S29AL008J70TFN023

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

AL-J

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

AT25020A-10PU-2.7

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

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