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IS61QDB42M18C-333M3I

IS61QDB42M18C-333M3I

참조 용

부품 번호 IS61QDB42M18C-333M3I
PNEDA 부품 번호 IS61QDB42M18C-333M3I
설명 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS61QDB42M18C-333M3I 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS61QDB42M18C-333M3I
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS61QDB42M18C-333M3I, IS61QDB42M18C-333M3I 데이터 시트 (총 페이지: 32, 크기: 804.24 KB)
PDFIS61QDB42M18C-333M3LI 데이터 시트 표지
IS61QDB42M18C-333M3LI 데이터 시트 페이지 2 IS61QDB42M18C-333M3LI 데이터 시트 페이지 3 IS61QDB42M18C-333M3LI 데이터 시트 페이지 4 IS61QDB42M18C-333M3LI 데이터 시트 페이지 5 IS61QDB42M18C-333M3LI 데이터 시트 페이지 6 IS61QDB42M18C-333M3LI 데이터 시트 페이지 7 IS61QDB42M18C-333M3LI 데이터 시트 페이지 8 IS61QDB42M18C-333M3LI 데이터 시트 페이지 9 IS61QDB42M18C-333M3LI 데이터 시트 페이지 10 IS61QDB42M18C-333M3LI 데이터 시트 페이지 11

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IS61QDB42M18C-333M3I 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, QUAD
메모리 크기36Mb (2M x 18)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간8.4ns
전압-공급1.71V ~ 1.89V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-LFBGA (15x17)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

400ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

IS61NVP102418-200B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-TFBGA (13x15)

W97BH6KBQX2I

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR2

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

168-WFBGA

공급자 장치 패키지

168-WFBGA (12x12)

IS41LV16100C-50TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM - EDO

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

25ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

MT46V32M16FN-6:C TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

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