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IS61VPS102436B-166B3LI

IS61VPS102436B-166B3LI

참조 용

부품 번호 IS61VPS102436B-166B3LI
PNEDA 부품 번호 IS61VPS102436B-166B3LI
설명 IC SRAM 36M PARALLEL 166MHZ
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
단가 견적 요청
재고 있음 8,118
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예상 배송 4월 7 - 4월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS61VPS102436B-166B3LI 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS61VPS102436B-166B3LI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS61VPS102436B-166B3LI, IS61VPS102436B-166B3LI 데이터 시트 (총 페이지: 35, 크기: 1,227.49 KB)
PDFIS64LPS102436B-166B2LA3-TR 데이터 시트 표지
IS64LPS102436B-166B2LA3-TR 데이터 시트 페이지 2 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR 데이터 시트 페이지 3 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR 데이터 시트 페이지 4 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR 데이터 시트 페이지 5 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR 데이터 시트 페이지 6 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR 데이터 시트 페이지 7 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR 데이터 시트 페이지 8 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR 데이터 시트 페이지 9 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR 데이터 시트 페이지 10 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR 데이터 시트 페이지 11

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IS61VPS102436B-166B3LI 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간3.5ns
전압-공급2.375V ~ 2.625V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-TBGA
공급자 장치 패키지165-TFBGA (13x15)

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (1K x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP-BJ

AT49BV3218T-90CI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20µs

접근 시간

90ns

전압-공급

2.65V ~ 3.3V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA, CSPBGA

공급자 장치 패키지

48-CBGA (6x8)

IS42S16100H-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

50-TSOP II

IS63LV1024L-10JLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

공급자 장치 패키지

32-SOJ

W25Q64JVSFIQ TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

SpiFlash®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

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