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IS62WV1288BLL-55HLI

IS62WV1288BLL-55HLI

참조 용

부품 번호 IS62WV1288BLL-55HLI
PNEDA 부품 번호 IS62WV1288BLL-55HLI
설명 IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
단가 견적 요청
재고 있음 2,985
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 24 - 3월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS62WV1288BLL-55HLI 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS62WV1288BLL-55HLI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS62WV1288BLL-55HLI, IS62WV1288BLL-55HLI 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 401.01 KB)
PDFIS62WV1288BLL-55TI-TR 데이터 시트 표지
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IS62WV1288BLL-55HLI 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지55ns
접근 시간55ns
전압-공급2.5V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지32-sTSOP I

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

366-WFBGA

공급자 장치 패키지

366-WFBGA (15x15)

IDT71V416YS15YI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-SOJ

DS1225AB-150

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

150ns

접근 시간

150ns

전압-공급

4.75V ~ 5.25V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

28-EDIP

제조업체

Intel

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH, SRAM

메모리 크기

32Mbit Flash, 8Mbit RAM

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

65ns

접근 시간

65ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-LFBGA, CSPBGA

공급자 장치 패키지

66-SCSP (8x14)

CY7C1392CV18-200BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

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165-FBGA (13x15)

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