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IS62WV25616EALL-55TLI

IS62WV25616EALL-55TLI

참조 용

부품 번호 IS62WV25616EALL-55TLI
PNEDA 부품 번호 IS62WV25616EALL-55TLI
설명 IC SRAM 4M PARALLEL
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
단가 견적 요청
재고 있음 2,826
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS62WV25616EALL-55TLI 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS62WV25616EALL-55TLI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS62WV25616EALL-55TLI, IS62WV25616EALL-55TLI 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 776.97 KB)
PDFIS62WV25616EALL-55BLI 데이터 시트 표지
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IS62WV25616EALL-55TLI 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지55ns
접근 시간55ns
전압-공급1.65V ~ 2.2V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지44-TSOP II

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-

기술

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메모리 크기

-

메모리 인터페이스

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시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

2Gb (64M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.0ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

168-WFBGA

공급자 장치 패키지

168-WFBGA (12x12)

QMP29GL01GP11FFSS80

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-P

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (11x13)

IDT71V3557SA85BQGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

CY7C1515KV18-300BZXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

72Mb (2M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

300MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

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