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ISL6611ACRZ

ISL6611ACRZ

참조 용

부품 번호 ISL6611ACRZ
PNEDA 부품 번호 ISL6611ACRZ
설명 IC REG CTRLR DOUBLER PWM 16-QFN
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
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재고 있음 3,132
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 9 - 3월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ISL6611ACRZ 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ISL6611ACRZ
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
ISL6611ACRZ, ISL6611ACRZ 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 719.14 KB)
PDFISL6611AIRZ 데이터 시트 표지
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ISL6611ACRZ 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수4
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 5.5V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-, 4A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)36V
상승 / 하강 시간 (일반)8ns, 8ns
작동 온도0°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-VQFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지16-QFN (4x4)

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시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 6.85V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 4.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

33V

상승 / 하강 시간 (일반)

17ns, 12ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

LM5100BMA/NOPB

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

2.3V, -

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

118V

상승 / 하강 시간 (일반)

570ns, 430ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL6622CRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

6.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-DFN (3x3)

LM5134ASDX/NOPB

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 12.6V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4.5A, 7.6A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

3ns, 2ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-WSON (3x3)

IGD515EI

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

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구동 구성

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채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

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논리 전압-VIL, VIH

0.9V, 3.8V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

15A, 15A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 40ns

작동 온도

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장착 유형

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