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ISL9R8120S3ST

ISL9R8120S3ST

참조 용

부품 번호 ISL9R8120S3ST
PNEDA 부품 번호 ISL9R8120S3ST
설명 DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,808
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ISL9R8120S3ST 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ISL9R8120S3ST
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
ISL9R8120S3ST, ISL9R8120S3ST 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 145.31 KB)
PDFISL9R8120S3ST 데이터 시트 표지
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ISL9R8120S3ST 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Stealth™
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1200V
전류-평균 정류 (Io)8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If3.3V @ 8A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)300ns
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F30pF @ 10V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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제조업체

WeEn Semiconductors

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

60ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

I2PAK

작동 온도-접합

150°C (Max)

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Panasonic Electronic Components

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

470mV @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

2ns

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

25pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SSMini2-F1

작동 온도-접합

125°C (Max)

STPS10L25D

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

25V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

460mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

800µA @ 25V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

150°C (Max)

SBR3150SB-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

SBR®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

820mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB

작동 온도-접합

150°C (Max)

MUR4L20HR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

890mV @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

65pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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