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IX4423N

IX4423N

참조 용

부품 번호 IX4423N
PNEDA 부품 번호 IX4423N
설명 IC MOSFET DRIVER 3A SOIC
제조업체 IXYS Integrated Circuits Division
단가 견적 요청
재고 있음 5,814
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IX4423N 리소스

브랜드 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IX4423N
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IX4423N, IX4423N 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 224.91 KB)
PDFIX4425N 데이터 시트 표지
IX4425N 데이터 시트 페이지 2 IX4425N 데이터 시트 페이지 3 IX4425N 데이터 시트 페이지 4 IX4425N 데이터 시트 페이지 5 IX4425N 데이터 시트 페이지 6 IX4425N 데이터 시트 페이지 7 IX4425N 데이터 시트 페이지 8 IX4425N 데이터 시트 페이지 9 IX4425N 데이터 시트 페이지 10 IX4425N 데이터 시트 페이지 11

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IX4423N 사양

제조업체IXYS Integrated Circuits Division
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 30V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 3V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)3A, 3A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)18ns, 18ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

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드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

4.5V, 9.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

-

전압-공급

2.7V ~ 28V

논리 전압-VIL, VIH

0.4V, 1.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

0.2ms, 1.5µs

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UFBGA, WLCSP

공급자 장치 패키지

6-WCSPE (0.80x1.2)

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

3.5V ~ 40V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 3A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

360ns, 210ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

SOT-23-6

ISL6612ACR-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-DFN (3x3)

IXDI430YI

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

8.5V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

30A, 30A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

18ns, 16ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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