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IX4426NTR

IX4426NTR

참조 용

부품 번호 IX4426NTR
PNEDA 부품 번호 IX4426NTR
설명 IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC
제조업체 IXYS Integrated Circuits Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,114
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 11 - 2월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IX4426NTR 리소스

브랜드 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IX4426NTR
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IX4426NTR, IX4426NTR 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 241.33 KB)
PDFIX4426NTR 데이터 시트 표지
IX4426NTR 데이터 시트 페이지 2 IX4426NTR 데이터 시트 페이지 3 IX4426NTR 데이터 시트 페이지 4 IX4426NTR 데이터 시트 페이지 5 IX4426NTR 데이터 시트 페이지 6 IX4426NTR 데이터 시트 페이지 7 IX4426NTR 데이터 시트 페이지 8 IX4426NTR 데이터 시트 페이지 9 IX4426NTR 데이터 시트 페이지 10 IX4426NTR 데이터 시트 페이지 11

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IX4426NTR 사양

제조업체IXYS Integrated Circuits Division
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 30V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.4V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.5A, 1.5A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)10ns, 8ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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N-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 40V

논리 전압-VIL, VIH

0.7V, 1.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

제조업체

IXYS

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

6V, 7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

600mA, 600mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

650V

상승 / 하강 시간 (일반)

23ns, 22ns

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

FAN73932MX

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시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.5A, 2.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

ISL89410IBZ-T13

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

7.5ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

TPIC44H01DARG4

Texas Instruments

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High-Side

채널 유형

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논리 전압-VIL, VIH

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전류-피크 출력 (소스, 싱크)

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Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

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상승 / 하강 시간 (일반)

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작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

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