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IX4427NTR

IX4427NTR

참조 용

부품 번호 IX4427NTR
PNEDA 부품 번호 IX4427NTR
설명 IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC
제조업체 IXYS Integrated Circuits Division
단가 견적 요청
재고 있음 105,936
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IX4427NTR 리소스

브랜드 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IX4427NTR
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IX4427NTR, IX4427NTR 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 241.33 KB)
PDFIX4426NTR 데이터 시트 표지
IX4426NTR 데이터 시트 페이지 2 IX4426NTR 데이터 시트 페이지 3 IX4426NTR 데이터 시트 페이지 4 IX4426NTR 데이터 시트 페이지 5 IX4426NTR 데이터 시트 페이지 6 IX4426NTR 데이터 시트 페이지 7 IX4426NTR 데이터 시트 페이지 8 IX4426NTR 데이터 시트 페이지 9 IX4426NTR 데이터 시트 페이지 10 IX4426NTR 데이터 시트 페이지 11

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IX4427NTR 사양

제조업체IXYS Integrated Circuits Division
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 30V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.4V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.5A, 1.5A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)10ns, 8ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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N-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

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작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Renesas Electronics America Inc.

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

14ns, 15ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

LM5100ASD

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

2.3V, -

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

118V

상승 / 하강 시간 (일반)

430ns, 260ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

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드라이버 수

2

게이트 유형

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전압-공급

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논리 전압-VIL, VIH

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입력 유형

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높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

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작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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