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IX6R11S6

IX6R11S6

참조 용

부품 번호 IX6R11S6
PNEDA 부품 번호 IX6R11S6
설명 IC BRIDGE DRIVER FOR N-CH MOSFET
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 6,714
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IX6R11S6 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IX6R11S6
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IX6R11S6, IX6R11S6 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 515.36 KB)
PDFIX6R11S6T/R 데이터 시트 표지
IX6R11S6T/R 데이터 시트 페이지 2 IX6R11S6T/R 데이터 시트 페이지 3 IX6R11S6T/R 데이터 시트 페이지 4 IX6R11S6T/R 데이터 시트 페이지 5 IX6R11S6T/R 데이터 시트 페이지 6 IX6R11S6T/R 데이터 시트 페이지 7 IX6R11S6T/R 데이터 시트 페이지 8 IX6R11S6T/R 데이터 시트 페이지 9 IX6R11S6T/R 데이터 시트 페이지 10 IX6R11S6T/R 데이터 시트 페이지 11

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IX6R11S6 사양

제조업체IXYS
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급10V ~ 35V
논리 전압-VIL, VIH6V, 9.6V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)6A, 6A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)600V
상승 / 하강 시간 (일반)25ns, 17ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지18-SOIC

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전압-공급

10.5V ~ 13.5V

논리 전압-VIL, VIH

2V, 4V; 3V, 6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

180mA, 200mA

입력 유형

RC Input Circuit

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

550V

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Renesas Electronics America Inc.

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

L6747CTR

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

5V ~ 12V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3.5A, -

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

41V

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-VFDFPN (3x3)

UC2715DP

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

IR2130JPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-LCC (J-Lead), 32 Leads

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