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IXA55I1200HJ

IXA55I1200HJ

참조 용

부품 번호 IXA55I1200HJ
PNEDA 부품 번호 IXA55I1200HJ
설명 IGBT 1200V 84A 290W TO247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 8,154
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXA55I1200HJ 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXA55I1200HJ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXA55I1200HJ, IXA55I1200HJ 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 113.55 KB)
PDFIXA55I1200HJ 데이터 시트 표지
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IXA55I1200HJ 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)84A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
전력-최대290W
에너지 전환4.5mJ (on), 5.5mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지190nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건600V, 50A, 15Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스ISOPLUS247™
공급자 장치 패키지ISOPLUS247™

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Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 30A

전력-최대

65W

에너지 전환

360µJ (on), 350µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

74nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

35ns/115ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

80ns

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SC-94

공급자 장치 패키지

TO-3PFP

NGTG40N120FL2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전력-최대

535W

에너지 전환

3.4mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

313nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

116ns/286ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

FGA25N120ANTDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT and Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.65V @ 15V, 50A

전력-최대

312W

에너지 전환

4.1mJ (on), 960µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/190ns

테스트 조건

600V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

350ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 32A

전력-최대

300W

에너지 전환

2.6mJ (on), 9.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

87nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/385ns

테스트 조건

800V, 32A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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FGP30N6S2D

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

108A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

전력-최대

167W

에너지 전환

55µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

23nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

6ns/40ns

테스트 조건

390V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

46ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-220-3

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ADP171AUJZ-R7

ADP171AUJZ-R7

Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 300MA TSOT5

MMBT4403LT1G

MMBT4403LT1G

ON Semiconductor

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