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IXA611S3

IXA611S3

참조 용

부품 번호 IXA611S3
PNEDA 부품 번호 IXA611S3
설명 IC DRIVER HALF BRDG 600MA 16-SOI
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 3,438
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXA611S3 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXA611S3
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IXA611S3, IXA611S3 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 490.12 KB)
PDFIXA611S3T/R 데이터 시트 표지
IXA611S3T/R 데이터 시트 페이지 2 IXA611S3T/R 데이터 시트 페이지 3 IXA611S3T/R 데이터 시트 페이지 4 IXA611S3T/R 데이터 시트 페이지 5 IXA611S3T/R 데이터 시트 페이지 6

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IXA611S3 사양

제조업체IXYS
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급10V ~ 35V
논리 전압-VIL, VIH6V, 7V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)600mA, 600mA
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)650V
상승 / 하강 시간 (일반)23ns, 22ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC

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드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 6.5V

논리 전압-VIL, VIH

3V, 6.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3.2A, 4.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

42V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 7ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN (2x3)

TC1411VUA713

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

TC4426ACOA

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IXDN502D1

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 30V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

7.5ns, 6.5ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VDFN Exposed Pad

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