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IXBT42N170A

IXBT42N170A

참조 용

부품 번호 IXBT42N170A
PNEDA 부품 번호 IXBT42N170A
설명 IGBT 1700V 42A 357W TO268
제조업체 IXYS
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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IXBT42N170A 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXBT42N170A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXBT42N170A, IXBT42N170A 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 236.83 KB)
PDFIXBT42N170A 데이터 시트 표지
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IXBT42N170A 사양

제조업체IXYS
시리즈BIMOSFET™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)42A
전류-수집기 펄스 (Icm)265A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic6V @ 15V, 21A
전력-최대357W
에너지 전환3.43mJ (on), 430µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지188nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C19ns/200ns
테스트 조건850V, 21A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)330ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지TO-268

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ON Semiconductor

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

전력-최대

165W

에너지 전환

380µJ (on), 260µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

63nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/87ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

IKW30N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™ 5

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

85A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 30A

전력-최대

227W

에너지 전환

470µJ (on), 1.35mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

168nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

33ns/308ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

GT50J121(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

전력-최대

240W

에너지 전환

1.3mJ (on), 1.34mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

90ns/300ns

테스트 조건

300V, 50A, 13Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PL

공급자 장치 패키지

TO-3P(LH)

RGTH40TK65DGC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

전력-최대

56W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

40nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/73ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

58ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 20A

전력-최대

219W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

87nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

21ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

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