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IXDD630MCI

IXDD630MCI

참조 용

부품 번호 IXDD630MCI
PNEDA 부품 번호 IXDD630MCI
설명 IC GATE DRIVER LOW SIDE 5TO220
제조업체 IXYS Integrated Circuits Division
단가 견적 요청
재고 있음 8,370
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 4 - 2월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXDD630MCI 리소스

브랜드 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXDD630MCI
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IXDD630MCI, IXDD630MCI 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 289.55 KB)
PDFIXDN630MYI 데이터 시트 표지
IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 2 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 3 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 4 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 5 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 6 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 7 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 8 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 9 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 10 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 11

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IXDD630MCI 사양

제조업체IXYS Integrated Circuits Division
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급9V ~ 35V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 3.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)30A, 30A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)11ns, 11ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-5
공급자 장치 패키지TO-220-5

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 500mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 80ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

2EDF7275KXUMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

EiceDriver™

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

3V ~ 3.5V

논리 전압-VIL, VIH

1.2V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 8A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

6.5ns, 4.5ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

13-TFLGA

공급자 장치 패키지

PG-TFLGA-13-1

MCP14A0301T-E/KBA

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

13ns, 12ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount, Wettable Flank

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WDFN (2x2)

LTC1693-2IS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

1.7V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

16ns, 16ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IR2151S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

125mA, 250mA

입력 유형

RC Input Circuit

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 40ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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