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IXDE504D2

IXDE504D2

참조 용

부품 번호 IXDE504D2
PNEDA 부품 번호 IXDE504D2
설명 IC GATE DRIVER 4A 8-DFN
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 2,502
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 7 - 3월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXDE504D2 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXDE504D2
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IXDE504D2, IXDE504D2 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 401.42 KB)
PDFIXDE504SIAT/R 데이터 시트 표지
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IXDE504D2 사양

제조업체IXYS
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 30V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 3V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)4A, 4A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)9ns, 8ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-DFN (4x5)

관심을 가질만한 제품

NCV5106ADR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

85ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

UCC27321DR

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1.1V, 2.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

TC4427AVMF

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN-S (6x5)

TC4427COA

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

19ns, 19ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IR21091PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.9V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

150ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

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