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IXDE504D2T/R

IXDE504D2T/R

참조 용

부품 번호 IXDE504D2T/R
PNEDA 부품 번호 IXDE504D2T-R
설명 IC GATE DRIVER 4A 8-DFN
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 3,618
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXDE504D2T/R 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXDE504D2T/R
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IXDE504D2T/R, IXDE504D2T/R 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 401.42 KB)
PDFIXDE504SIAT/R 데이터 시트 표지
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IXDE504D2T/R 사양

제조업체IXYS
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 30V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 3V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)4A, 4A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)9ns, 8ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-DFN (4x5)

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제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.2V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.2A, 2.7A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 8ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-TQFN-EP

IR4426SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

6V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.3A, 3.3A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

LM25101CMYX/NOPB

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

2.3V, -

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

100V

상승 / 하강 시간 (일반)

990ns, 715ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-MSOP-PowerPad

ISL6612CRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-DFN (3x3)

IXRFDSM607X2

IXYS-RF

제조업체

IXYS-RF

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

15A, 15A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

4ns, 4ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

-

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