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IXDI602SIATR

IXDI602SIATR

참조 용

부품 번호 IXDI602SIATR
PNEDA 부품 번호 IXDI602SIATR
설명 2A 8 SOIC DUAL INVERTING
제조업체 IXYS Integrated Circuits Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,942
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXDI602SIATR 리소스

브랜드 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXDI602SIATR
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IXDI602SIATR, IXDI602SIATR 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 261.99 KB)
PDFIXDI602SI 데이터 시트 표지
IXDI602SI 데이터 시트 페이지 2 IXDI602SI 데이터 시트 페이지 3 IXDI602SI 데이터 시트 페이지 4 IXDI602SI 데이터 시트 페이지 5 IXDI602SI 데이터 시트 페이지 6 IXDI602SI 데이터 시트 페이지 7 IXDI602SI 데이터 시트 페이지 8 IXDI602SI 데이터 시트 페이지 9 IXDI602SI 데이터 시트 페이지 10 IXDI602SI 데이터 시트 페이지 11

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IXDI602SIATR 사양

제조업체IXYS Integrated Circuits Division
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 35V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 3V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)2A, 2A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)7.5ns, 6.5ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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Microchip Technology

시리즈

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구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

28ns, 32ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

MC33153DR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

11V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

1.2V, 3.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 2A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

17ns, 17ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MP1921HS-A-LF

Monolithic Power Systems Inc.

제조업체

Monolithic Power Systems Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.5A, 2.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

120V

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 9ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL89162FBEBZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

1.85V, 3.15V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

6SD106EI-17

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-1

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

0V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

100ns, 80ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

68-DIP Module, 58 Leads

공급자 장치 패키지

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