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IXDI604SIATR

IXDI604SIATR

참조 용

부품 번호 IXDI604SIATR
PNEDA 부품 번호 IXDI604SIATR
설명 IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC
제조업체 IXYS Integrated Circuits Division
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재고 있음 8,946
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXDI604SIATR 리소스

브랜드 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXDI604SIATR
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IXDI604SIATR, IXDI604SIATR 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 269.37 KB)
PDFIXDN604SITR 데이터 시트 표지
IXDN604SITR 데이터 시트 페이지 2 IXDN604SITR 데이터 시트 페이지 3 IXDN604SITR 데이터 시트 페이지 4 IXDN604SITR 데이터 시트 페이지 5 IXDN604SITR 데이터 시트 페이지 6 IXDN604SITR 데이터 시트 페이지 7 IXDN604SITR 데이터 시트 페이지 8 IXDN604SITR 데이터 시트 페이지 9 IXDN604SITR 데이터 시트 페이지 10 IXDN604SITR 데이터 시트 페이지 11

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IXDI604SIATR 사양

제조업체IXYS Integrated Circuits Division
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 35V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 3V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)4A, 4A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)9ns, 8ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

HIP4086APZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 500mA

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

95V

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

24-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

24-PDIP

2SD315AI

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-1

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

-

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

-

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

18A, 18A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

160ns, 130ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

44-DIP Module, 42 Leads

공급자 장치 패키지

Module

98-0343

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.9V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

130ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

UCC27210D

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 17V

논리 전압-VIL, VIH

2.4V, 5.8V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

120V

상승 / 하강 시간 (일반)

7.2ns, 5.5ns

작동 온도

-40°C ~ 140°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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