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IXDN502D1T/R

IXDN502D1T/R

참조 용

부품 번호 IXDN502D1T/R
PNEDA 부품 번호 IXDN502D1T-R
설명 IC MOSF DRIVER FAST DUAL 6-DFN
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 5,598
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXDN502D1T/R 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXDN502D1T/R
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IXDN502D1T/R, IXDN502D1T/R 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 404.13 KB)
PDFIXDN502SIA 데이터 시트 표지
IXDN502SIA 데이터 시트 페이지 2 IXDN502SIA 데이터 시트 페이지 3 IXDN502SIA 데이터 시트 페이지 4 IXDN502SIA 데이터 시트 페이지 5 IXDN502SIA 데이터 시트 페이지 6 IXDN502SIA 데이터 시트 페이지 7 IXDN502SIA 데이터 시트 페이지 8 IXDN502SIA 데이터 시트 페이지 9 IXDN502SIA 데이터 시트 페이지 10 IXDN502SIA 데이터 시트 페이지 11

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IXDN502D1T/R 사양

제조업체IXYS
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 30V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 3V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)2A, 2A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)7.5ns, 6.5ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지6-DFN (4x5)

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 30ns

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

MCP14E10-E/MF

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN-S (6x5)

MIC4420ZM

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 13ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

FAN5110MX

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 13.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 25ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

2SC0435T2G1-17

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-2

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

14.5V ~ 15.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

35A, 35A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

1700V

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

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