IXDN604WW
참조 용
| 부품 번호 | IXDN604WW |
| PNEDA 부품 번호 | IXDN604WW |
| 설명 | 4 AMP GATE DRIVER, FOR WHOLE WAF |
| 제조업체 | IXYS Integrated Circuits Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,154 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 8 - 3월 13 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IXDN604WW 리소스
| 브랜드 | IXYS Integrated Circuits Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IXDN604WW |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
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IXDN604WW 사양
| 제조업체 | IXYS Integrated Circuits Division |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Low-Side |
| 채널 유형 | Independent |
| 드라이버 수 | 2 |
| 게이트 유형 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 4.5V ~ 35V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 4A, 4A |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 9ns, 8ns |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
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제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 9A, 9A 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 20ns, 24ns 작동 온도 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 12A, 12A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 20ns, 24ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Linear Technology/Analog Devices 시리즈 - 구동 구성 High-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) - 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) - 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-PDIP |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 6V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 2.3A, 3.3A 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 15ns, 10ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-PDIP |
제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 1.25A, 2A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 36V 상승 / 하강 시간 (일반) 26ns, 18ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 10-DFN (3x3) |
