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IXDN609SI

IXDN609SI

참조 용

부품 번호 IXDN609SI
PNEDA 부품 번호 IXDN609SI
설명 IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC
제조업체 IXYS Integrated Circuits Division
단가 견적 요청
재고 있음 2,397
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXDN609SI 리소스

브랜드 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXDN609SI
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IXDN609SI, IXDN609SI 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 288.03 KB)
PDFIXDN609YI 데이터 시트 표지
IXDN609YI 데이터 시트 페이지 2 IXDN609YI 데이터 시트 페이지 3 IXDN609YI 데이터 시트 페이지 4 IXDN609YI 데이터 시트 페이지 5 IXDN609YI 데이터 시트 페이지 6 IXDN609YI 데이터 시트 페이지 7 IXDN609YI 데이터 시트 페이지 8 IXDN609YI 데이터 시트 페이지 9 IXDN609YI 데이터 시트 페이지 10 IXDN609YI 데이터 시트 페이지 11

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IXDN609SI 사양

제조업체IXYS Integrated Circuits Division
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 35V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 3V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)9A, 9A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)22ns, 15ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-SOIC-EP

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Microchip Technology

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구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 13ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

TC4424VMF713

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

23ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN-S (6x5)

UCC27531D

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 32V

논리 전압-VIL, VIH

1.2V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.5A, 5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 7ns

작동 온도

-40°C ~ 140°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IRS2334MTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

125ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-VFQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

28-MLPQ (5x5)

MIC4426BMM

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 29ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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