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IXDN614YI

IXDN614YI

참조 용

부품 번호 IXDN614YI
PNEDA 부품 번호 IXDN614YI
설명 14A 5LEAD TO-263 NON INVERTING
제조업체 IXYS Integrated Circuits Division
단가 견적 요청
재고 있음 10,748
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXDN614YI 리소스

브랜드 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXDN614YI
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IXDN614YI, IXDN614YI 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 265.86 KB)
PDFIXDD614D2TR 데이터 시트 표지
IXDD614D2TR 데이터 시트 페이지 2 IXDD614D2TR 데이터 시트 페이지 3 IXDD614D2TR 데이터 시트 페이지 4 IXDD614D2TR 데이터 시트 페이지 5 IXDD614D2TR 데이터 시트 페이지 6 IXDD614D2TR 데이터 시트 페이지 7 IXDD614D2TR 데이터 시트 페이지 8 IXDD614D2TR 데이터 시트 페이지 9 IXDD614D2TR 데이터 시트 페이지 10 IXDD614D2TR 데이터 시트 페이지 11

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IXDN614YI 사양

제조업체IXYS Integrated Circuits Division
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 35V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 3V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)14A, 14A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)25ns, 18ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
공급자 장치 패키지TO-263-5

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

10A, 10A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

38ns, 33ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN-S (6x5)

TD350IDT

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

12V ~ 26V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 4.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 2.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

130ns, 75ns (Max)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SO

ISL6613IBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IRS2336STRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

125ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOIC

ISL6609AIRZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VQFN Exposed Pad

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