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IXDN630MYI

IXDN630MYI

참조 용

부품 번호 IXDN630MYI
PNEDA 부품 번호 IXDN630MYI
설명 IC GATE DRIVER LOW SIDE 5TO263
제조업체 IXYS Integrated Circuits Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,434
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXDN630MYI 리소스

브랜드 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXDN630MYI
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IXDN630MYI, IXDN630MYI 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 289.55 KB)
PDFIXDN630MYI 데이터 시트 표지
IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 2 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 3 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 4 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 5 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 6 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 7 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 8 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 9 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 10 IXDN630MYI 데이터 시트 페이지 11

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IXDN630MYI 사양

제조업체IXYS Integrated Circuits Division
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급9V ~ 35V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 3.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)30A, 30A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)11ns, 11ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
공급자 장치 패키지TO-263-5

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

18ns, 18ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IR2301SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.9V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

130ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MIC4605-1YMT-T5

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

5.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

108V

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-TDFN (2.5x2.5)

LT1161CSW#PBF

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 48V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

20-SOIC

MIC4421ACT

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 24ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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