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IXEH25N120

IXEH25N120

참조 용

부품 번호 IXEH25N120
PNEDA 부품 번호 IXEH25N120
설명 IGBT 1200V 36A 200W TO247AD
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 3,024
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 29 - 12월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXEH25N120 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXEH25N120
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXEH25N120, IXEH25N120 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 84.98 KB)
PDFIXEH25N120D1 데이터 시트 표지
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IXEH25N120 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)36A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 25A
전력-최대200W
에너지 전환4.1mJ (on), 1.5mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건600V, 20A, 68Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-247AD

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

11A

전류-수집기 펄스 (Icm)

12A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 4A

전력-최대

58W

에너지 전환

140µJ (on), 62µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

9nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/120ns

테스트 조건

400V, 4A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

48ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

125A

전류-수집기 펄스 (Icm)

420A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 50A

전력-최대

660W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

210nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/205ns

테스트 조건

960V, 50A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1.7µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

TO-247PLUS-HV

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

전력-최대

200W

에너지 전환

5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

130nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

100ns/500ns

테스트 조건

800V, 25A, 33Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

RGCL80TS60DGC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 40A

전력-최대

148W

에너지 전환

1.11mJ (on), 1.68mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

98nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

53ns/227ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

58ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

NGTG15N120FL2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

전력-최대

294W

에너지 전환

1.2mJ (on), 370µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

109nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

64ns/128ns

테스트 조건

600V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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