Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

IXFK44N50F

IXFK44N50F

참조 용

부품 번호 IXFK44N50F
PNEDA 부품 번호 IXFK44N50F
설명 MOSFET N-CH 500V 44A TO264
제조업체 IXYS-RF
단가 견적 요청
재고 있음 3,598
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 28 - 2월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXFK44N50F 리소스

브랜드 IXYS-RF
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFK44N50F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFK44N50F, IXFK44N50F 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 126.31 KB)
PDFIXFK44N50F 데이터 시트 표지
IXFK44N50F 데이터 시트 페이지 2 IXFK44N50F 데이터 시트 페이지 3 IXFK44N50F 데이터 시트 페이지 4 IXFK44N50F 데이터 시트 페이지 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

  • 신속한 대응

    저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.

  • 보장 된 품질

    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

  • 글로벌 액세스

    전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.

Hot search vocabulary

  • IXFK44N50F Datasheet
  • where to find IXFK44N50F
  • IXYS-RF

  • IXYS-RF IXFK44N50F
  • IXFK44N50F PDF Datasheet
  • IXFK44N50F Stock

  • IXFK44N50F Pinout
  • Datasheet IXFK44N50F
  • IXFK44N50F Supplier

  • IXYS-RF Distributor
  • IXFK44N50F Price
  • IXFK44N50F Distributor

IXFK44N50F 사양

제조업체IXYS-RF
시리즈HiPerRF™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs120mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs156nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5500pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)500W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-264 (IXFK)
패키지 / 케이스TO-264-3, TO-264AA

관심을 가질만한 제품

STP18N55M5

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ V

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

550V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

192mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1260pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

110W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

48A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

68mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

77nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4420pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

660W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247

패키지 / 케이스

TO-247-3

SCH1335-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

112mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.1nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

270pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

800mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-SCH

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

APT75F50B2

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

290nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1040W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

T-MAX™ [B2]

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

HUFA76413P3

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

UltraFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

49mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

645pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

60W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

최근 판매

M30624FGPGP#U3C

M30624FGPGP#U3C

Renesas Electronics America

IC MCU 16BIT 256KB FLASH 100QFP

NANOSMDC035F-2

NANOSMDC035F-2

Littelfuse

PTC RESET FUSE 16V 350MA 1206

ADUM1402BRWZ

ADUM1402BRWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

1.5KE200CA

1.5KE200CA

STMicroelectronics

TVS DIODE 171V 353V DO201

MC9S08LH36CLH

MC9S08LH36CLH

NXP

IC MCU 8BIT 36KB FLASH 64LQFP

W25Q80DVSVIG

W25Q80DVSVIG

Winbond Electronics

IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8VSOP

SMCJ5.0CA

SMCJ5.0CA

TVS DIODE 5V 9.2V DO214AB

FODM121AR2

FODM121AR2

ON Semiconductor

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

MTFC8GACAAAM-4M IT

MTFC8GACAAAM-4M IT

Micron Technology Inc.

IC FLASH EMMC 64G

LT1965EDD#PBF

LT1965EDD#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 1.1A 8DFN

BSS138BK,215

BSS138BK,215

Nexperia

MOSFET N-CH 60V TO-236AB

SSQ 2

SSQ 2

Bel Fuse

FUSE BOARD MNT 2A 125VAC/VDC SMD