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IXFK48N50

IXFK48N50

참조 용

부품 번호 IXFK48N50
PNEDA 부품 번호 IXFK48N50
설명 MOSFET N-CH 500V 48A TO-264AA
제조업체 IXYS
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재고 있음 4,698
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IXFK48N50 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFK48N50
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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IXFK48N50 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)48A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs100mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs270nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds8400pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)500W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-264AA (IXFK)
패키지 / 케이스TO-264-3, TO-264AA

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

560pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

25W (Tc)

작동 온도

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Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3200pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

68W (Tc)

작동 온도

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시리즈

TrenchFET® Gen IV

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

53.9A (Ta), 195.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.23mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

82nC @ 10V

Vgs (최대)

+20V, -16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3670pF @ 12.5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 30A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

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3075pF @ 25V

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

800mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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Vgs (최대)

±20V

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260pF @ 25V

FET 기능

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전력 손실 (최대)

3W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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