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IXFL132N50P3

IXFL132N50P3

참조 용

부품 번호 IXFL132N50P3
PNEDA 부품 번호 IXFL132N50P3
설명 MOSFET N-CH 500V 63A ISOPLUS264
제조업체 IXYS
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재고 있음 6,084
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXFL132N50P3 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFL132N50P3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFL132N50P3, IXFL132N50P3 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 186.41 KB)
PDFIXFL132N50P3 데이터 시트 표지
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IXFL132N50P3 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™, Polar3™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)63A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs43mOhm @ 66A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs250nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds18600pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)520W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지ISOPLUS264™
패키지 / 케이스ISOPLUS264™

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드레인-소스 전압 (Vdss)

620V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

45W (Tc)

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Through Hole

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시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

450mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 430mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.88nC @ 4.5V

Vgs (최대)

8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

55pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

100mW (Ta)

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-883VL

패키지 / 케이스

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STP4N52K3

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

SuperMESH3™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

525V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.6Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

334pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

45W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

TO-220-3

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

280mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

570pF @ 25V

FET 기능

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전력 손실 (최대)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6450pF @ 15V

FET 기능

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1.9W (Ta)

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