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IXFN110N60P3

IXFN110N60P3

참조 용

부품 번호 IXFN110N60P3
PNEDA 부품 번호 IXFN110N60P3
설명 MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
제조업체 IXYS
단가
1 ---------- $390.2167
50 ---------- $371.9253
100 ---------- $353.6339
200 ---------- $335.3425
400 ---------- $320.0996
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IXFN110N60P3 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFN110N60P3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFN110N60P3, IXFN110N60P3 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 118.54 KB)
PDFIXFN110N60P3 데이터 시트 표지
IXFN110N60P3 데이터 시트 페이지 2 IXFN110N60P3 데이터 시트 페이지 3 IXFN110N60P3 데이터 시트 페이지 4 IXFN110N60P3 데이터 시트 페이지 5

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IXFN110N60P3 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™, Polar3™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs56mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs245nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds18000pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1500W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
공급자 장치 패키지SOT-227B
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

81nC @ 7.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5150pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

104W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

43A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 43A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

175nC @ 20V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2730pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

230W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

48W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

NTMFS4923NET3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12.7A (Ta), 91A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4850pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

930mW (Ta), 48W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

265nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

960W (Tc)

작동 온도

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