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IXFN34N80

IXFN34N80

참조 용

부품 번호 IXFN34N80
PNEDA 부품 번호 IXFN34N80
설명 MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 8,460
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IXFN34N80 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFN34N80
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFN34N80, IXFN34N80 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 129.79 KB)
PDFIXFN34N80 데이터 시트 표지
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IXFN34N80 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)34A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs240mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs270nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7500pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)600W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
공급자 장치 패키지SOT-227B
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

109A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1935pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

114W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-WDFN (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

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시리즈

-

FET 유형

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SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1.2kV

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

77A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

31mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

232nC @ 20V

Vgs (최대)

+25V, -10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3020pF @ 1000V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

278W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

SOT-227 (ISOTOP®)

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

BUZ10

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

75W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

DMT47M2SFVWQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

40pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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