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IXFP16N50P

IXFP16N50P

참조 용

부품 번호 IXFP16N50P
PNEDA 부품 번호 IXFP16N50P
설명 MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 7,200
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IXFP16N50P 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFP16N50P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFP16N50P, IXFP16N50P 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 252.35 KB)
PDFIXFA16N50P 데이터 시트 표지
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IXFP16N50P 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs400mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5.5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs43nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2250pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)300W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220AB
패키지 / 케이스TO-220-3

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IXYS

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

700mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

220nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

SFP9Z24

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

280mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

49W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

FDMS4D4N08C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

123A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4090pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-PQFN (5x6), Power56

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

BSP315PL6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.17A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

800mOhm @ 1.17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 160µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

160pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.8W (Ta)

작동 온도

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Infineon Technologies

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17.7A (Ta), 100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

3.1V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

81nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6020pF @ 15V

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-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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