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IXFR24N90P

IXFR24N90P

참조 용

부품 번호 IXFR24N90P
PNEDA 부품 번호 IXFR24N90P
설명 MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 4,410
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IXFR24N90P 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFR24N90P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFR24N90P, IXFR24N90P 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 115.82 KB)
PDFIXFR24N90P 데이터 시트 표지
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IXFR24N90P 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™, PolarP2™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs460mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id6.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs130nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7200pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)230W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지ISOPLUS247™
패키지 / 케이스ISOPLUS247™

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Vishay Siliconix

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드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

47A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

72mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

273nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5682pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

417W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

240mOhm @ 10.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1.54mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1280pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

128W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

IXFJ32N50

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

54A (Ta), 334A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

0.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

82nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5538pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.2W (Ta), 125W (Tc)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

750mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 25V

FET 기능

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